Evaluation of ion temperature using ion sensitive probe in the boundary plasma of the JFT-2M tokamak

上原 和也; 福本 亮介*; 津島 晴*; 雨宮 宏*

Journal of the Physical Society of Japan, 72(11), p.2804 - 2810, 2003/11

https://doi.org/10.1143/JPSJ.72.2804

静電プローブによる強磁場中のイオン温度の有力な測定法であるイオンセンシティブプローブの性能を拡張する目的でイオンセンシティブプローブの電子障壁の有限幅を考慮した粒子シミュレーションを行った。電子障壁の高さhに対するイオン電流の依存性を計算して、実験的に得られるイオン電流-h特性からより正確にイオン温度を評価できることが示された。hがリモート制御できるような改造型のイオンセンシティブプローブをJFT-2Mのプラズマに適用し、オーミック加熱時及びL/H遷移時のイオン温度を測定することに成功した。

2MVバンデグラフ加速器用小型イオン照射装置

鈴木 建次; 片野 吉男; 有賀 武夫; 白石 健介

JAERI-M 84-181, 37 Pages, 1984/10

JAERI-M-84-181.pdf:1.94MB

エネルギーの高いイオンで照射した材料における照射損傷領域の組織観察法は材料の照射損傷を研究する上で有用な手段である。組織変化に及ぼす照射量の影響を解明するために、均質かつ時間的に安定なプロフィルを有するイオンビームが必要となる。2MVバンデグラフ加速器のセンターダクトにおけるイオンビームは上述の条件を比較的容易に満し得るけれども、装置の設置に対する許容空間は少ない。このため、大型装置と同様に排気、試料の加熱およびイオン電流密度の計測などができる小型イオン照射装置を製作し、得られる照射条件の検討を行った。その結果、本照射装置は材料の照射試験に充分使用できることがわかった。